2018

  • Ph. Auburger, I. Kemeny, C. Bertram, M. Ligges, M. Bockstedte, U. Bovensiepen, K. Morgenstern, Microscopic insight into electron-induced dissociation of aromatic molecules on ice, Physical Review Letters in print.
  • M. Bockstedte, F. Schutz, Th. Garratt, V. Ivady, A. Gali, Ab initio description of highly correlated states in defects for realizing quantum bits,Nature Partner Journal Quantum Materials, 3, 31 (2018).
  • V. Prucker, M. Bockstedte, M. Thoss, P. B. Coto, Dynamical simulation of electrontransfer processes in self-assembled monolayers at metal surfaces using a density matrixapproach, J. Chem. Phys., 148, 124705 (2018).

2017

  • Classen, R. Pöschel, G. Di Filippo, T. Fauster, O. B. Malcioğlu and M. Bockstedte, Electronic Structure of Tetraphenylporphyrin layers on Ag(100), Phys. Rev. B 95, 115414 (2017).
  • D. Thomele, G. R. Bourret, J. Bernardi, M. Bockstedte and O. Diwald, Hydroxylation Induced Alignment of Metal Oxide Nanocubes, Angew. Chem. Int. Ed. 56, 1407 (2017).

2016

  • M. D. Weber, J. E. Wittmann, A. Burger, O. B. Malcioğglu, J. Segarra-Marti, A. Hirsch, P. B. Coto, M. Bockstedte and R. D. Costa, From white to Red: Electric-Field Dependent Chromaticity of Light-Emitting Electrochemical Cells based on Archetypal Porphyrins, Adv. Funct. Mater. 26, 6737 (2016).
  • A. Erpenbeck, R. Härtle, M. Bockstedte and M. Thoss, Vibrationally dependent electron- electron interactions in resonant electron transport through single-junction molecules, Phys. Rev. B 93, 115421 (2016).
  • M. Bockstedte, A. Michl, M. Kolband, M. Mehlhorn and K. Morgenstern, Incomplete Bilayer Termination of the Ice (0001) Surface, J. Phys. C 120, 1097 (2016).
  • M. Krieger, M. Ruhl, T. Sledziewsky, G. Ellrot, T. Palm, H. B. Weber, M. Bockstedte, Doping of 4H-SiC with group IV elements, Mat. Sci. Forum, 858, 301 (2016).

2015

  • K. Szasz, V. Ivady, I. I. Abrikosov, E. Janzéen, M. Bockstedte and A. Gali, Spin and photophysics of carbon-antisite vacancy defect in 4H silicon carbide: A potential quan- tum bit, Phys. Rev. B 91, 121201(R) (2015).

2014

  • S. Beljakowa, M. Hauck, M. Bockstedte, F. Fromm, M. Hundhausen, H. Nagasaw, H. B. Weber, G. Pensl and M. Krieger, Persistent conductivity in n-type 3C-SiC observed at low temperatures, Mater. Sci. Forum 778-780, 265 (2014).

2013

  • V. Prucker, O. Rubio-Pons, M. Bockstedte, H. Wang, P. B. Coto and M. Thoss, Dynamical simulation of electron transfer processes in alkanethiolate self-assembled monolayers at the Au(111) surface, J. Phys. C 117, 25334 (2013).

2012

  • O. Pankratov, S. Hensel, P. Götzfried and M. Bockstedte, Graphene on cubic and hexagonal SiC: A comparative theoretical study, Phys. Rev. B 86, 155432 (2012).
  • F. Blobner, P. B. Coto, F. Allegretti, M. Bockstedte, O. Rubio-Pons, H. Wang, D. L. Allara, M. Zharnikov, M. Thoss and P. Feulner, Orbital-symmetry-dependent electron transfer through molecules assembled on metal substrates, J. Phys. Chem. Lett. 3, 436 (2012).

2011

  • A. Decker, S. Suraru, O. Rubio-Pons, E. Mankel, M. Bockstedte, M. Thoss, F. Würthner, T. Mayer and W. Jägermann, Towards Functional Inorganic / Organic Hybrids: Phenoxy- Allyl-PTCDI Synthesis, Experimentally and Theoretically Determined Properties of the Isolated Molecule, Layer Characteristics, and the Interface Formation of Phenoxy- Allyl-PTCDI on Si(111):H Determined by SXPS and DFT, J. Phys. Chem. C 115, 21139 (2011).
  • C. Attaccalite, M. Bockstedte, A. Marini, A. Rubio and L. Wirtz, Coupling of excitons and defect states in boron-nitride nanostructures, Phys. Rev. B 83, 144115 (2011).

2010

  • M. Bockstedte, A. Marini, O. Pankratov and A. Rubio, Many-Body Effects in the Excitation Spectrum of a Defect in SiC, Phys. Rev. Lett. 105, 026401 (2010).
  • O. Pankratov, S. Hensel and M. Bockstedte, Electron spectrum of epitaxial graphene monolayers, Phys. Rev. B 82, 121416(R) (2010)

2009

  • U. Bovensiepen, C. Gahl, J. Stähler, M. Bockstedte, M. Meyer, F. Baletto, S. Scan- dolo, X.-Y. Zhu, A. Rubio and M. Wolf, A Dynamic Landscape from Femtoseconds to Minutes for Excess Electrons at Ice-Metal Interfaces, J. Phys. Chem. C 113, 979 (2009).
  • M. Bockstedte, A. Marini, A. Gali, O. Pankratov and A. Rubio, Defects identified in SiC and their implications, Mater. Sci. Forum 285, 600 (2009)

2008

  • M. Bockstedte, A. Gali, A. Mattausch, O. Pankratov and J. W. Steeds, Identification of intrinsic Defects in SiC: Towards an understanding of defect aggregates by combining theoretical and experimental approaches, phys. stat. sol. (b) 245, 1281 (2008).

 2007

  • G. Pensl, F. Schmid, S. Reshanov, H. Weber, M. Bockstedte, A. Mattausch, O. Pan- kratov, T. Ohshima and H. Itoh, (Nitrogen-Vacancy)-Complex Formation in SiC: Experiment and Theory, Mater. Sci. Forum 556-557, 307 (2007).
  • A. Gali, T. Hornos, M. Bockstedte and T. Frauenheim, Point defect aggregation in Silicon Carbide, Mater. Sci. Forum 556-557, 439 (2007).

2006

  • A. Mattausch, M. Bockstedte, O. Pankratov, J. W. Steeds, S. Furkert, J. M. Hayes, W. Sullivan and N. G. Wright, Thermally stable carbon-related centers in 6H-SiC: Pho- toluminescence spectra and microscopic models, Phys. Rev. B 73, 161201(R) (2006).
  • F. Schmid, S. A. Reshanov, H. B. Weber, G. Pensl, M. Bockstedte, A. Mattausch, O. Pankratov, T. Ohshima and H. Itoh, Deactivation of nitrogen donors in silicon carbide, Phys. Rev. B 74, 245212 (2006).
  • N. T. Son, T. Umeda, J. Isoya, A. Gali, M. Bockstedte, B. Magnusson, A. Ellison, N. Morishita, T. Oshima, H. Itoh and E. Janzén, Divacancy in 4H-SiC, Phys. Rev. Lett. 96, 055501 (2006).
  • T. Umeda, N. T. Son, J. Isoya, E. Janzén, T. Ohshima, N. Morishita, H. Itoh, A. Gali and M. Bockstedte, Identification of the carbon antisite-vacancy pair in 4H-SiC, Phys. Rev. Lett. 96, 145501 (2006).
  • M. Bockstedte, A. Gali, T. Umeda, N. T. Son, J. Isoya and E. Janzén, Signature of the negative carbon vacancy-antisite complex, Mater. Sci. Forum 527-529, 539 (2006).
  • A. Gali, M. Bockstedte, N. T. Son, T. Umeda, J. Isoya and E. Janzén, Divacancy and its Identification: Theory, Mater. Sci. Forum 527-529, 523 (2006).
  • M. Bockstedte, A. Mattausch and O. Pankratov, Kinetic mechanisms for the deactivation of nitrogen in SiC, Mater. Sci. Forum 527-529, 621 (2006)

2005

  • M. Bockstedte, A. Mattausch and O. Pankratov, Kinetic aspects of the interstitial-mediated boron diffusion in SiC, Mater. Sci. Forum 483-485, 527 (2005). A. Mattausch, M. Bockstedte and O. Pankratov, Ab initio study of dopant interstitials in 4H-SiC, Mater. Sci. Forum 483-485, 523 (2005).

2004

  • M. Bockstedte, A. Mattausch and O. Pankratov, The Solubility and Defect Equilibrium on the n-Type Dopants Nitrogen and Phosphorus in 4H-SiC: A Theoretical Study, Mater. Sci. Forum 457-460, 715 (2004).
  • A. Mattausch, M. Bockstedte and O. Pankratov, Structure and Vibrational Spectra of Carbon Clusters in SiC, Phys. Rev. B 70, 235211 (2004).
  • A. Mattausch, M. Bockstedte and O. Pankratov, A Theoretical Study of Carbon Clusters in SiC: a Sink and a Source of Carbon Interstitials, Mater. Sci. Forum 457-460, 449 (2004).
  • M. Bockstedte, A. Mattausch and O. Pankratov, Different role of carbon and silicon interstitials in the boron diffusion in SiC, Phys. Rev. B 70, 115203 (2004).
  • M. Bockstedte, A. Mattausch and O. Pankratov, Solubility of nitrogen and phosphorus in 4H-SiC: a theoretical study, Appl. Phys. Lett. 85, 58 (2004).
  • M. Bockstedte, A. Mattausch and O. Pankratov, Ab initio study of annealing of vacancies and interstitials in cubic SiC: Vacancy-interstitial recombination and aggregation carbon interstitials, Phys. Rev. B 69, 235202 (2004).
  • A. Mattausch, M. Bockstedte and O. Pankratov, Carbon antisite clusters in SiC: A possible pathway the DII center, Phys. Rev. B 69, 45322 (2004).

2003

  • M. Bockstedte, A. Mattausch and O. Pankratov, Ab initio study of the migration of intrinsic defects in 3C-SiC, Phys. Rev. B 68, 205201 (2003).
  • M. Bockstedte, M. Heid and O. Pankratov, Signature of intrinsic defects in SiC: ab inito calculation of hyperfine tensors, Phys. Rev. B 67, 193102 (2003)
  • M. Bockstedte, M. Heid, A. Mattausch and O. Pankratov, Identification and annealing of common intrinsic defect centers, Mater. Sci. Forum 433-436, 471 (2003).
  • S. Walter, R. Bandorf, W. Weiss, K. Heinz, U. Starke, M. Strass, M. Bockstedte and O. Pankratov, Chemical termination of the CsCl-structure FeSi/Si(111) film surface and its multilayer relaxation, Phys. Rev. B 67, 85413 (2003).

 

 

 

 

 

  • News
    Das intensiv diskutierte Thema einer fairen Besteuerung der digitalen Wirtschaft ist am 28. Februar 2019 in Salzburg Thema einer Tagung, bei der Wissenschafter/innen der Universitäten Salzburg, Wien, Linz und Salzburg Research sowie erfahrene Vertreter der Wirtschaftstreuhänder und eine Expertin des Finanzministeriums (BMF) referieren.
    Durch einstimmigen Jurybeschluss wurde Ass. Prof. MMag. Dr. Jörg Paetzold mit dem Hanns Abele Preis der WU Wien für die beste Doktorarbeit der letzten fünf Jahre aus dem Bereich "wissenschaftliche Grundlagen der Wirtschaftspolitik" ausgezeichnet.
    Wissenschaftler der Uni Salzburg haben die internationalen Auswirkungen eines Brexit-Schocks auf ausgewählte Mitgliedstaaten der Eurozone und Großbritannien untersucht.
    Am 6.2. wurde Prof. DDr. DDr.h.c. J. Michael Rainer, Fachbereich Privatrecht, Dekan der Rechtswissenschaftlichen Fakultät, in Madrid in Anwesenheit des österreichischen Botschafters Mag. Christian Ebner der Preis „Ursicinio Alvarez“ des Spanischen Notariates für seine Verdienste um das Römische Recht verliehen.
    Auch dieses Jahr organisiert das WissensNetzwerk Recht, Wirtschaft und Arbeitswelt gemeinsam mit dem Wiener Zentrum für Rechtsinformatik (WZRI) der Universität Wien die mittlerweile größte und bedeutendste wissenschaftliche Tagung in Österreich und Mitteleuropa auf dem Gebiet der Rechtsinformatik: das Internationale Rechtsinformatik Symposion IRIS. Abgehalten wird die Veranstaltung vom 21. bis 23. Februar 2019 in den Räumen der Rechtswissenschaftlichen Fakultät der Universität Salzburg.
    Einblicke in die beseelt-geträumten Wunderwelten Nataliya Elmers bieten ihre in Öl und Acryl gehaltenen Bilder.
    Die Universität Salzburg und die Wissensstadt Salzburg laden am 26. Februar 2019 die breite Öffentlichkeit zum internationalen Open NanoScience Congress im Unipark Nonntal ein. Wissenschaftler/innen bieten Einblicke in aktuelle Forschungsprojekte, ob zu Nanosicherheit oder neuartigen Nanomaterialien. An dem Kongress wirken wesentlich auch die Schüler/innen aus dem Sparkling Science Projekt „Nan-O-Style“ mit. Sie präsentieren ihre Arbeiten zu Nanomaterialien in modernen Lifestyle Produkten.
    Already many years ago, the international research team of Angela Schottenhammer has been collecting and editing Chinese sources on maritime Asia.
    Der ONSC findet am Dienstag, 26. Februar 2019, von 9-13 h im Unipark Nonntal, Salzburg statt.
    Prof. Dr. Angela Schottenhammer is part of a multi-disciplinary, international team of scholars under the directorship of Professor Gwyn Campbell of McGill University that has been awarded a $2.5 million partnership grant funded by the Social Sciences and Humanities Research Council of Canada (SSHRC) to investigate six periods of historical and contemporary environmental (e.g. climate change, volcanism, monsoons, cyclones, drought) ...
    The (English-language) seminar on “Transnational Supply Chains and Domestic Human Rights Litigation” deals with legal questions that arise when human rights abuses in transnational supply chains give rise to domestic law suits.
    Wichtige Termine und Informationen zur Anmeldung für die Kurse am Sprachenzentrum im Sommersemester 2019.
    with an excursion to the European Space Agency and a visit to the new VEGA observatory
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  • 20.02.19 IRIS 2019
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    21.02.19 Orientation Week SoSe 2019: Unipark library - information and tour (English)
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    22.02.19 Orientation Week SoSe 2019: Hauptbibliothek - Information und Führung (Deutsch)
    23.02.19 IRIS 2019
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